退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。

可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

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燃氣退火爐中鋼帶在加熱和結冰中張應力的變遷，對帶鋼繼續屈曲綜合時，爐輥生動不動，在帶鍋縱向對稱線的節點上強加橫向對稱束縛，將張應力p分步加載到帶鋼兩截斷邊上所示變化。
在連退式的燃氣退火爐內加熱段和快冷段，帶柔和爐時差異大，爐輥熱變形顯然，因而，白文取舍加熱段和快冷段的爐輥和帶鑰為鉆研目標。并依據當場工藝規程，取舍加熱段爐溫為820℃，張力為7kN，快冷段爐溫為400℃，張力為11kN。
別離構建限元模子，對爐輥熱變形和帶鋼屈曲變形繼續劃算。
退火爐理論生產中，爐輥在連退爐內的轉速達200mlmin之上，當爐輥轉動工夫較長時，能夠疏忽爐輥沿周向和徑向的時差，只要思忖輥身熱度散布不均導致的爐輥熱變形，采納所示的軸對稱模子劃算爐輥的熱變形，爐輥初始輥形為單錐度輥，其形態所示。
別離采納熱變形前后的爐輥形態對帶鋼繼續屈曲劃算，思忖到連退爐內的空間對稱性和周期性，構建如圖所示的無限元模子繼續屈曲綜合。
其中，帶鋼為冷軋后的呆滯帶鋼，帶寬為1600mm，帶厚為0.8mm，選用四邊形薄殼單元作為帶鋼單元，帶鋼兩截斷邊坐落高低爐輥的旁邊地位所示。