退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

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優點：
1.使用方便，適應生產環境; 　
2.爐內溫度快，各段溫度均勻。 　　
3、爐體維修期保證5年以上，且爐門、燃燒器等易碎部件維修方便。 　　
缺點 ：　　
1.設備耗油量大，效率低，造成嚴重的環境污染 　　
2.推鋼軌產生的缺陷較多，維修困難，影響了生產 　　
3.自動化控制程度低，報廢率高，一般在12%。 　　改進措施 　　改造后的光亮退火爐爐溫劃分為為三區，其間由鋼材推進器將工件推入爐內第一區--加熱區，兩面墻下交錯設置4個燒嘴，軌道由耐火磚拱形支撐，使工件兩側均可加熱，再分為兩區、三區--恒溫區，兩面墻等高布置4個燒嘴。