退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。

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     1.退火溫度是否達到規定溫度。亮光退火爐一般采用固溶熱處理，即所謂的退火，溫度規模為1040~1120℃（日本標準）。退火區的不銹鋼管可通過退火爐觀察孔觀察，為白熾狀態，但無軟化下垂。

     2.退火氣氛。一般以純氫為退火氣氛，氣氛純度在99.99%以上。如果氣氛的另一部分是惰性氣體，純度可以更低，但不能含有太多的氧氣和水蒸氣。

     3.爐體密封。亮退火爐應關閉，與外部空氣隔離；只有一個排氣口是通過的（用于點燃排放的氫）。檢查方法可用肥皂水擦拭退火爐各接頭間隙，查看是否運行氣體；簡單的運行氣體是退火爐進出管道，當地密封圈磨損特別簡單，經常檢查更換。

     4.維護氣壓。為避免微泄漏，爐內維護氣應堅持一定正壓。如果是氫氣維護氣，一般需要20kbar以上。

     5.爐內的水蒸氣。一方面，檢查爐體材料是否干燥，第一次安裝，爐體材料必須干燥；另一方面，爐內不銹鋼管是否有過多的水漬，特別是如果管上有孔，不要漏水，否則爐氛圍會完全破壞。如果沒有這些問題，不銹鋼管應在開爐后退回約20米后開始發光，這是一種明亮的反射。